国家知识产权局信息数据显现，世界商业机器公司请求一项名为“针对兼并外延的半导体背侧阻隔特征”的专利，公开号CN121241429A，请求日期为2024年5月。

  专利摘要显现，一种半导体结构包含前段制程层级，其包含多个场效应晶体管。每个场效应晶体管包含坐落场效应晶体管的相对侧上的源极/漏极区域。坐落相邻场效应晶体管之间的浅沟槽阻隔区域将多个场效应晶体管互相电阻隔。浅沟槽阻隔区域具有锥形概括。背侧阻隔区域被嵌入在该浅沟槽阻隔区域内，而且切穿该源极/漏极区域。背侧阻隔区域具有倒锥形概括。

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