韩国半导体工程师协会在《2026半导体技能道路年硅基半导体开展猜测。三星近期刚刚宣告将于2026年推出全球首款2纳米GAA架构芯片Exynos 2600，但猜测显现到2040年半导体电路将打破0.2纳米，慎重进入埃米（Å）年代。要完结亚1纳米晶圆的技能跨过，未来十余年间仍需霸占很多技能距离与妨碍。

  韩媒报导指出，《2026半导体技能道路图》旨在助力强化半导体长时间技能与工业竞争力，激活学术研究体系，构建人才教育训练战略。半导体工程师协会发布的道路图包括九大中心技能范畴：半导体器材与制程、人工智能芯片、光衔接芯片、无线衔接芯片传感器、有线衔接芯片、功率集成电路、先进封装以及量子核算。

  现在最先进的制程技能当属三星的2纳米全盘绕栅极技能，不过据称三星已规划了该制作工艺的晋级版别。例如，三星已完结第二代2纳米GAA节点的根底规划，据陈述将在两年内使用其第三代2纳米GAA技能SF2P+。估计到2040年，0.2纳米工艺将选用新一代晶体管结构——互补场效应晶体管，并完结单片三维集成规划。

  作为韩国下一代半导体制作范畴的领军企业，三星据称已组成专项团队发动1纳米芯片研制，并将2029年设定为量产方针。有关技能晋级不只将使用于移动体系芯片，一起将推进DRAM内存电道路纳米，而高带宽内存估计将从12层堆叠、2TB/s带宽提升至30层堆叠、128TB/s带宽。

  在NAND闪存范畴，SK海力士已研制出321层QLC技能，而半导体技能进步将使QLC NAND完结2000层堆叠。最终，当时AI处理器虽已能到达每秒10万亿次运算，但陈述阐明十五年后或将呈现具有每秒1000万亿次学习算力与每秒100万亿次推理算力的芯片。