12月26日音讯，据韩媒报导，三星将在 2026 年 2 月开端大规模量产 HBM4 芯片，其竞争对手 SK 海力士也会在大致相同的时刻开端量产，成为全世界内存半导体职业首例。

  业内人士泄漏，SK 海力士将从下一年 2 月起，在韩国京畿道利川 M16 工厂、清州 M15X 工厂全面发动出产。而三星也将于同一时刻在平泽园区发动 HBM4 量产作业。

  据报导，HBM4 不只是一次单纯的功能晋级，而是转向客制化产品的重要分水岭。其间 SK 海力士挑选与台积电协作，在 HBM4 的基底 Die 上选用 12nm 制程工艺，让带宽比较上代类型提高 2 倍，能效比提高 40% 以上。

  而三星则凭仗 Turnkey方案、抢先制程技能正面迎战，这家厂商挑选决断导入 10nm 先进制程，在内部技能评价中完成 11.7Gbps 的职业抢先功能，因此有满足的自傲将量产时刻提早至 2 月。

  一起，三星出产出的 HBM4 芯片大部分都将供应给英伟达的下一代 AI 加速器体系“Vera Rubin”，方案 2026 年下旬发布，部分 HBM4 芯片还将供应给谷歌，用来出产第七代 TPU（张量处理单元）。

  此前曾有风闻称，三星和 SK 海力士未来一年的 HBM 产能已悉数售罄，各大 AI 巨子正争相收购尽或许多的芯片，亚马逊、谷歌、微软、OpenAI 等企业或许遭受瓶颈。

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