继小米之后，荣耀也已表态其平板产品即将跟进涨价。据悉，荣耀终端股份有限公司平板与IOT产品领域总经理在社会化媒体平台表示“内存涨价实在扛不住了，我们涨价也快到了，需要购买平板的建议赶快入手。”随后，荣耀中国区智慧生活业务部部长林林则表示“慢慢的开始了”。

  PC方面，有消息称，戴尔计划自12月17日起，全面调涨商用产品价格，价格上着的幅度将介于10%到30%之间，视合约而定。此外，传联想已开始通知客户，预定2026年初正式调涨售价。

  华硕共同执行长胡书宾表示，存储器涨价趋势至少将持续到2026年上半年，终端产品涨价“已经是大趋势”，品牌商还是要适当反映成本，华硕会灵活调整产品组合，并依据市场动态变化来决定最适当的涨价时机。

  宏碁董事长陈俊圣则表示，反映价格调涨售价“已经在做”，也会改设计，比如将16GB存储设置改为8GB，硬盘大小也会调整，当新机种推出就会有新价格。整体PC产品价格多少会有反映，而明年第1季产品价格确定与今年第4季不同，但线季报价，目前大家都在拼命提前拉货，这让报价变得更困难。

  手机方面，vivo X300、OPPO Find X9、线系列等多款旗舰/次旗舰、中端机的首发价较上一代产品均出现100-500元不等的上调。

  此番小米逆向调涨在售产品，表明存储大幅涨价带来的成本压力已切切实实传递至消费末端。但据CFM闪存市场了解，原厂产能优先保障AI服务器需求，而导致mobile、PC等消费类市场供应受到明显挤占，明年上半年供应满足率远不如往年同期水平。

  CFM闪存市场预计，明年Q1 mobile/PC NAND价格还将上涨25%~30%；mobile/PC DRAM则上涨30%~35%。此番手机、平板及PC等终端产品涨价或许仅仅是一个开始，随着明年新一轮存储芯片成本传导至整机，预计未来将有更多的品牌和终端产品跟进涨价。

  来源：CFM闪存市场。注：最终真实的情况有几率存在调整，因各供应商拟定基准价不同，最终幅度会有差异。

  据韩媒报道，三星和三星先进技术研究院发布了其制造尺寸小于 10 纳米 (nm) 的 DRAM 的技术。

  该技术是将存储单元堆叠在外围电路上，简称为单元-外围电路（Cell-on-Peri，简称CoP），这样的形式与目前将周界晶体管放置在存储单元下方的方式截然不同，周界晶体管在高温堆叠过程中容易受到损坏，导致性能下降。

  三星将其新技术命名为“用于10nm以下CoP垂直通道DRAM晶体管的高耐热非晶氧化物半导体晶体管”。采用了一种基于非晶铟镓氧化物（InGaO）的晶体管，这种晶体管能承受高达 550 摄氏度的高温，从而防止性能直线下降。 这种垂直沟道晶体管的沟道长度为 100nm，可以与单片 CoP DRAM 架构集成。

  三星指出，在测试过程中，漏极电流的劣化程度极小，晶体管在老化测试中也表现良好。

  目前，该技术仍处于研究阶段，未来将应用于10nm以下的0a和0b DRAM。

  据韩媒报道，三星电子存储器事业部DRAM设计团队负责人Son Kyomin近日在演讲中透露，三星计划在年内制定“LPDDR6-PIM”标准，为产品研究开发奠定基础。

  据介绍，LPDDR-PIM可应用于需要移动和边缘AI操作的行业，在这一些行业中，HBM的利用较为困难。不仅是存储器公司在考虑这一点，SoC和系统公司也在考虑利用PIM。

  三星电子的首要目标是在今年年底前完成LPDDR6-PIM标准的制定，以便开始开发。目前标准化工作已接近尾声，正在与各公司做协调。

  铠侠BiCS FLASH™ 第八代 QLC 闪存采用创新架构，可满足高端智能手机、PC、固态硬盘和数据中心等以数据为中心的应用需求。

  据业内消息，为应对市场需求的迅速增加并保障下一代产品供应，谷歌已将与联发科合作的下一代AI芯片“TPU v7e”订单量提升至原先的两倍。

  谷歌自主研发的TPU芯片凭借出色的能效表现，不仅在内部支撑起庞大的计算需求，也吸引了众多外部客户的关注。为缓解供应压力并完善供应链布局，谷歌正积极拓展合作生态，在原有合作伙伴博通的基础上，引入联发科作为新的关键合作伙伴，以共同应对持续增长的市场需求。

  谷歌最新推出的第七代TPU由博通负责设计，采用三星电子和SK海力士提供的8层HBM3E产品，性能更进一步的第七代TPU（TPU 7E）将采用12层HBM3E产品。返回搜狐，查看更加多